05年全球半導體繼續增長“IT泡沫不會重演”

全球半導體市場統計（WSTS）的2004年至2007年的市場預測（秋季版）于2004年11月2日公布。2004年全球半導體市場規模預計將比上年增長27.8%，達到2128億美元左右。市場規模將超過歷史最高紀錄的2000年（該年的紀錄為約2044億美元）。

2004年之后全球半導體市場的增速將放緩，2005年和2006年與上年相比將分別增長1.2%和3%，盡管增長率有所下降，但“仍能繼續維持增長。不會像IT泡沫崩潰的2001年那樣變成負增長。2001年半導體市場規模大幅下挫的最大原因在于流通環節的庫存積壓嚴重。結果導致半導體的出廠量大幅減少。此次，流通環節的庫存并沒有積壓太多”（WSTS日本協會）。

2007年的全球市場規模將同比增長11.4%，再次步入正常增長的軌道。“2007年，一是有望產生北京奧運特需，再加上還將產生手機和計算機的更新換代需求，因此預計將會出現真正的恢復走勢”（WSTS日本協商會）。

2004年各類產品的全球市場規模如下，光電子產品領域同比增長44.4%，約為138億美元；傳感器領域同比增長37%，約為49億美元；離散器件領域同比增長19.6%，約為160億美元。光電子產品領域之所以大幅增長，是因為手機與數碼相機用固體攝影組件、手機背照燈、白色LED、DVD用半導體激光器等產品增長勢頭良好。傳感器領域之所以能夠實現高增長率，主要取決于溫度傳感器和壓力傳感器的供貨量穩步增長。“目前，溫度傳感器和壓力傳感器的用途幾乎全部為車載領域”（WSTS日本協商會）。

作為2004年各類ic產品的預測，Mos內存預計將比上年增長45.3%，Mos微處理器同比增長14.3%，Mos邏輯組件同比增長33.5%，仿真產品同比增長18%。Mos內存之所以大幅增長，是因為dram和閃存Eeprom均穩步增長。2004年的dram市場將比上年增長60%左右，約達267億美元；閃存Eeprom同比增長33.3%，約達156億美元。

2005年所有領域的增速都將放緩。2005年，離散產品領域將同比增長0.3%，光電子產品將同比增長14.5%，Mos內在將同比下降3.6%，Mos微處理器將同比增長1.9%，Mos邏輯組件將同比增長1.2%，仿真產品將同比增長0.8%。

面向日本國內出廠的半導體市場增長率（按日元計算）為，2004年同比增長12.2%，但是2003年曾經實現了同比增長18.3%，所以與之相比增長有所放緩。2005年、2006年和2007年同比增長預計將分別為1.9%、3.3%和9.5%，日本的半導體市場規模2004年、2005、2006和2007年將分別達到5.1萬億日元、5.1萬億日元、5.3萬億日元和5.8萬億日元左右。2003年至2007年間的年平均增長率預計將達到6.6%。

中國半導體行業協會2004/11/9